НОВИЙ M.2 PCIE NVME SSD 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 плюс Hynix V7

1. ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТУ

Ємність

− 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ, 1024 ГБ, 2048 ГБ

− Підтримка 32-бітового режиму адресації

Електричний/фізичний інтерфейс

− Інтерфейс PCIe

− Сумісний із NVMe 1.3

− PCIe Express Base версії 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 смуги та зворотна сумісність із PCIe Gen 2 та Gen 1

− Підтримка до 128 QD із глибиною черги до 64K

− Підтримка керування живленням

Підтримується NAND Flash

− Підтримка до 16 Flash Chip Enables (CE) в одній конструкції

− Підтримка до 4 спалахів BGA132

− Підтримка 8-bit I/O NAND Flash

− Підтримка інтерфейсів Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 і ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

Схема ECC

− HG2283 PCIe SSD застосовує LDPC або алгоритм ECC.

Підтримка розміру сектора

   − 512B

− 4 Кб

UART/GPIO

Підтримка команд SMART і TRIM

Діапазон LBA

− Стандарт IDEMA

Продуктивність                 

Продуктивність HG2283 плюс Hynix V7 (1200 Мбіт/с)

ПРИМІТКИ:

1. Продуктивність базувалася на флеш-пам’яті Hynix V7 TLC NAND.

СПОЖИВАННЯ ЕНЕРГІЇ

ПРИМІТКИ:

1. Дані, отримані на основі Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.

2. Споживання електроенергії вимірюється під час послідовних операцій читання та запису, які виконує IOMeter.

Управління Flash

1.4.1. Код виправлення помилок (ECC)

Комірки флеш-пам’яті погіршуються під час використання, що може призвести до випадкових бітових помилок у збережених даних. Таким чином, HG2283 PCIe SSD застосовує LDPC (Low Density Parity Check) алгоритму ECC, який може виявляти та виправляти помилки, що виникають під час процесу читання, гарантувати правильність читання даних, а також захищати дані від пошкодження.

1.4.2. Вирівнювання зносу

Флеш-пристрої NAND можуть проходити лише обмежену кількість циклів програмування/стирання, коли флеш-носій використовується нерівномірно, деякі блоки оновлюються частіше, ніж інші, і термін служби пристрою значно скорочується. Таким чином, вирівнювання зносу застосовується для продовження терміну служби флеш-пам’яті NAND шляхом рівномірного розподілу циклів запису та стирання на носії.

HosinGlobal пропонує розширений алгоритм вирівнювання зносу, який може ефективно розподілити використання флеш-пам’яті по всій області флеш-носія. Крім того, за допомогою реалізації як динамічного, так і статичного алгоритмів вирівнювання зносу, очікувана тривалість життя флеш-пам’яті NAND значно покращується.

1.4.3. Керування поганими блоками

Погані блоки – це блоки, які не працюють належним чином або містять більше недійсних бітів, що спричиняє нестабільність збережених даних, і їх надійність не гарантується. Блоки, ідентифіковані та позначені виробником як несправні, називаються «ранніми несправними блоками». Пошкоджені блоки, які утворюються протягом життя флеш-пам’яті, називаються «пізніші пошкоджені блоки». HosinGlobal реалізує ефективний алгоритм керування пошкодженими блоками для виявлення заводських пошкоджених блоків і керування пошкодженими блоками, які з’являються під час використання. Ця практика запобігає зберіганню даних у пошкоджених блоках і додатково підвищує надійність даних.

1.4.4. ТРИМ

TRIM — це функція, яка допомагає покращити продуктивність читання/запису та швидкість твердотільних накопичувачів (SSD). На відміну від жорстких дисків (HDD), SSD не можуть перезаписувати наявні дані, тому доступний простір поступово зменшується з кожним використанням. За допомогою команди TRIM операційна система може повідомити SSD, щоб блоки даних, які більше не використовуються, можна було остаточно видалити. Таким чином, SSD виконає дію стирання, що запобігає постійному розміщенню невикористаних даних у блоках.

1.4.5. РОЗУМНИЙ

SMART, абревіатура від Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, є відкритим стандартом, який дозволяє твердотільному накопичувачу автоматично виявляти його справність і повідомляти про можливі збої. Коли SMART фіксує збій, користувачі можуть вибрати заміну диска, щоб запобігти несподіваному збою або втраті даних. Крім того, SMART може інформувати користувачів про можливі збої, поки ще є час для виконання профілактичних дій, таких як збереження даних на іншому пристрої.

1.4.6. Надмірне забезпечення

Over Provisioning означає збереження додаткової області поза межами можливостей користувача на SSD, яка не видима для користувачів і не може бути використана ними. Однак це дозволяє контролеру SSD використовувати додатковий простір для кращої продуктивності та WAF. За допомогою Over Provisioning продуктивність і IOPS (операції вводу/виводу за секунду) покращуються шляхом надання контролеру додаткового простору для керування циклами P/E, що також підвищує надійність і довговічність. Крім того, посилення запису SSD стає нижчим, коли

контролер записує дані на флеш-пам’ять.

1.4.7. Оновлення прошивки

Прошивку можна розглядати як набір інструкцій щодо того, як пристрій спілкується з хостом. Мікропрограму можна буде оновити, коли додадуться нові функції, вирішаться проблеми сумісності або покращиться продуктивність читання/запису.

1.4.8. Теплове дроселювання

Мета терморегулювання — запобігти перегріванню будь-яких компонентів SSD під час операцій читання та запису. HG2283 розроблено з термодатчиком на матриці та з його точністю; Мікропрограмне забезпечення може застосовувати різні рівні дроселювання для ефективного та проактивного досягнення мети захисту за допомогою SMART читання.

1.5. Розширені функції безпеки пристрою

1.5.1. Безпечне видалення

Secure Erase — це стандартна команда формату NVMe, яка записує всі "0x00", щоб повністю видалити всі дані на жорстких дисках і SSD. Після введення цієї команди контролер SSD зітре свої блоки пам’яті та повернеться до заводських налаштувань за замовчуванням.

1.5.2. Crypto Erase

Crypto Erase — це функція, яка стирає всі дані з активованого OPAL SSD або диска «SED» (Security-Enabled Disk) шляхом скидання криптографічного ключа диска. Оскільки ключ змінено, раніше зашифровані дані стануть марними, досягнувши мети захисту даних.

1.5.3. SID фізичної присутності (PSID)

Ідентифікатор фізичної присутності (PSID) визначається TCG OPAL як 32-рядок символів і призначений для повернення твердотільного накопичувача до заводських налаштувань, коли накопичувач усе ще активований OPAL. Код PSID можна надрукувати на етикетці SSD, якщо SSD з активацією OPAL підтримує функцію повернення PSID.

1.6. Керування терміном служби SSD

1.6.1. Записані терабайти (TBW)

TBW (Terabytes Written) — це вимірювання очікуваного терміну служби SSD, що представляє обсяг даних

записані на пристрій. Для розрахунку TBW SSD використовується таке рівняння:

TBW = [(Витривалість NAND) x (Ємність SSD)] / [WAF]

Витривалість NAND: довговічність NAND стосується циклу P/E (Програмування/Стирання) флеш-пам’яті NAND.

Ємність SSD: Ємність SSD – це питома загальна ємність SSD.

WAF: Коефіцієнт посилення запису (WAF) — це числове значення, що представляє співвідношення між обсягом даних, який повинен записати контролер SSD, і обсягом даних, який записує флеш-контролер хоста. Кращий WAF, який дорівнює близько 1, гарантує кращу витривалість і меншу частоту запису даних у флеш-пам’ять.

TBW у цьому документі базується на робочому навантаженні JEDEC 218/219.

1.6.2. Індикатор зносу носія

Індикатор фактичного терміну служби, який повідомляє SMART Attribute byte index [5], Percentage Used, рекомендує користувачеві замінити диск, коли він досягає 100 відсотків.

1.6.3. Режим лише для читання (кінець життя)

Коли накопичувач старіє через сукупні цикли програмування/стирання, зношеність носія може спричинити збільшення кількості пізніх пошкоджених блоків. Коли кількість корисних блоків виходить за межі визначеного діапазону, накопичувач сповістить хост через подію AER і критичне попередження, щоб перейти в режим лише для читання, щоб запобігти подальшому пошкодженню даних. Користувач повинен негайно почати замінювати диск на інший.

1.7. Адаптивний підхід до налаштування продуктивності

1.7.1. Пропускна здатність

Залежно від доступного місця на диску HG2283 регулюватиме швидкість читання/запису та керуватиме пропускною здатністю. Коли залишається багато місця, мікропрограма постійно виконуватиме дії читання/запису. Все ще немає потреби впроваджувати збір сміття для виділення та звільнення пам’яті, що прискорить обробку читання/запису для підвищення продуктивності. Навпаки, коли простір буде використано, HG2283 уповільнить обробку читання/запису та запровадить збір сміття, щоб звільнити пам’ять. Отже, продуктивність читання/запису стане нижчою.

1.7.2. Передбачення та вибірка

Зазвичай, коли хост намагається прочитати дані з PCIe SSD, PCIe SSD виконає лише одну дію читання після отримання однієї команди. Однак HG2283 застосовує Predict & Fetch для покращення швидкості читання. Коли хост видає послідовні команди читання на SSD PCIe, SSD PCIe автоматично очікує, що наступні команди також будуть читати. Таким чином, до отримання наступної команди flash вже підготував дані. Відповідно, це прискорює час обробки даних, і хосту не потрібно так довго чекати, щоб отримати дані.

1.7.3. Кешування SLC

В даний час у дизайні мікропрограми HG2283 використовується динамічне кешування, що забезпечує кращу продуктивність і покращує роботу користувача.

7. ФІЗИЧНИЙ ВИМІР

Форм-фактор: M.2 2280 S2

Розміри: 80.00 мм (Д) x 22.00 мм (Ш) x 2,15 мм (В)

 

Напрямок перегляду	Діаграма
Топ
Дно
Напрямок перегляду	Діаграма
сторона

Малюнок 7-1 Механічна схема продукту та розміри

 

8. ПРИМІТКИ ДО ЗАЯВКИ

8.1. Запобіжні заходи при поводженні з упаковкою стружки (WLCSP).

Є багато компонентів, зібраних на одному пристрої SSD. Будь ласка, поводьтеся з приводом обережно, особливо якщо він має будь-які компоненти WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging), такі як PMIC, термодатчик або перемикач навантаження. WLCSP — це одна з технологій пакування, яка широко використовується для створення невеликих слідів, але будь-які удари чи подряпини можуть пошкодити ці надмалі деталі, тому настійно рекомендується дбайливе поводження.

 

НЕ ВИПАДАЙТЕ SSD

УВАЖНО ВСТАНОВЛЮЙТЕ SSD

РОЗІРВАВ SSD В НАЛЕЖНІЙ УПАКОВЦІ

 

8.2. Застереження щодо складання M.2 SSD

M Key M.2 SSD (Малюнок 1) сумісний лише з роз’ємом M Key (Малюнок 2). Як показано у випадку використання 2, неправильне використання може призвести до серйозних пошкоджень SSD, включаючи вигорання.

 

 

Малюнок 8-1 M Key M.2 Застереження щодо складання

 

Популярні Мітки: НОВИЙ M.2 PCIE NVME SSD 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7, Китай НОВИЙ M.2 PCIE NVME SSD 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7